| 型号： | MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR | 厂家： | Micron Technology Inc. |
| 封装： | 130-VFBGA（8x9） | 系列： | 存储器 |
| 描述： | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA | ||
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MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
| 型号 | MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR |
| 品牌 | Micron Technology Inc. |
| 封装 | 130-VFBGA（8x9） |
| 安装类型- | 表面贴装型 |
| 系列- | - |
| 包装- | 卷带（TR） |
| 产品状态- | 停产 |
| DigiKey 可编程- | 未验证 |
| 存储器类型- | 非易失 |
| 存储器格式- | 闪存 |
| 技术- | 闪存 - NAND |
| 存储容量- | 1Gb |
| 存储器组织- | 64M x 16 |
| 存储器接口- | 并联 |
| 时钟频率- | - |
| 写周期时间 - 字，页- | - |
| 访问时间- | - |
| 电压 - 供电- | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作温度- | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 等级- | - |
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