| 型号： | MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR | 厂家： | Micron Technology Inc. |
| 封装： | 200-WFBGA（10x14.5） | 系列： | 存储器 |
| 描述： | IC DRAM 4GBIT 1.6GHZ 200WFBGA | ||
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR
| 型号 | MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR |
| 品牌 | Micron Technology Inc. |
| 封装 | 200-WFBGA（10x14.5） |
| 安装类型- | 表面贴装型 |
| 系列- | - |
| 包装- | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| 产品状态- | 停产 |
| DigiKey 可编程- | 未验证 |
| 存储器类型- | 易失 |
| 存储器格式- | DRAM |
| 技术- | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 存储容量- | 4Gb |
| 存储器组织- | 128M x 32 |
| 存储器接口- | - |
| 时钟频率- | 1.6 GHz |
| 写周期时间 - 字，页- | - |
| 访问时间- | - |
| 电压 - 供电- | 1.1V |
| 工作温度- | -40°C ~ 125°C（TC） |
| 等级- | 汽车级 |
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