| 型号： | BY25QM512FSEIG(R) | 厂家： | BYTe Semiconductor |
| 封装： | 8-WSON（8x6） | 系列： | 存储器 |
| 描述： | 512 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), - | ||
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BY25QM512FSEIG(R)
| 型号 | BY25QM512FSEIG(R) |
| 品牌 | BYTe Semiconductor |
| 封装 | 8-WSON（8x6） |
| 安装类型- | 表面贴装型 |
| 系列- | - |
| 包装- | 卷带（TR） |
| 产品状态- | 在售 |
| DigiKey 可编程- | - |
| 存储器类型- | 非易失 |
| 存储器格式- | 闪存 |
| 技术- | FLASH - NOR（SLC） |
| 存储容量- | 512Mb |
| 存储器组织- | 64M x 8 |
| 存储器接口- | SPI - 四 I/O |
| 时钟频率- | 100 MHz |
| 写周期时间 - 字，页- | 3ms |
| 访问时间- | 7 ns |
| 电压 - 供电- | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度- | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 等级- | - |
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