| 型号： | SM8S11HE3/2D | 厂家： | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 封装： | DO-218AB | 系列： | TVS |
| 描述： | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB | ||
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SM8S11HE3/2D
| 型号 | SM8S11HE3/2D |
| 描述 | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB |
| 厂商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 制造商零件编号 | SM8S11HE3/2DTVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218ABVishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 系列 | PAR |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 产品状态 | 停产 |
| 类型 | 齐纳 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 电压 反向断态（典型值） | 11V |
| 电压 击穿（最小值） | 12.2V |
| 不同 Ipp 时电压 箝位（最大值） | 20.1V |
| 电流 峰值脉冲 (10/1000μs) | 328A |
| 功率 峰值脉冲 | 6600W（6.6kW） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | - |
| 不同频率时容 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-218AB |
| 供应商器件封装 | DO-218AB |
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