| 型号： | JAN1N6476US | 厂家： | Microchip Technology |
| 封装： | G-MELF（D-5C） | 系列： | TVS |
| 描述： | TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC G-MELF | ||
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JAN1N6476US
| 型号 | JAN1N6476US |
| 描述 | TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC G-MELF |
| 厂商 | Microchip Technology |
| 制造商零件编号 | JAN1N6476USTVS DIODE 51.6VWM 78.5VC G-MELFMicrochip Technology |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 产品状态 | 在售 |
| 类型 | 齐纳 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 电压 反向断态（典型值） | 51.6V |
| 电压 击穿（最小值） | 54V |
| 不同 Ipp 时电压 箝位（最大值） | 78.5V |
| 电流 峰值脉冲 (10/1000μs) | 107A（8/20μs） |
| 功率 峰值脉冲 | 1500W（1.5kW） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 |
| 不同频率时容 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级 | 军用 |
| 资质 | MIL-PRF-19500/552 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF，G |
| 供应商器件封装 | G-MELF（D-5C） |
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