| 型号： | MPLAD18KP58AE3 | 厂家： | Microchip Technology |
| 封装： | PLAD | 系列： | TVS |
| 描述： | TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD | ||
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MPLAD18KP58AE3
| 型号 | MPLAD18KP58AE3 |
| 描述 | TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD |
| 厂商 | Microchip Technology |
| 制造商零件编号 | MPLAD18KP58AE3TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLADMicrochip Technology |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 产品状态 | 在售 |
| 类型 | 齐纳 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 电压 反向断态（典型值） | 58V |
| 电压 击穿（最小值） | 64.4V |
| 不同 Ipp 时电压 箝位（最大值） | 93.6V |
| 电流 峰值脉冲 (10/1000μs) | 193A |
| 功率 峰值脉冲 | 18000W（18kW） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 |
| 不同频率时容 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级 | 军用 |
| 资质 | MIL-PRF-19500 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 供应商器件封装 | PLAD |
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