| 型号： | VMMBZ33C1DD1HG3-08 | 厂家： | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 封装： | DFN1006-2B | 系列： | TVS |
| 描述： | 28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1 | ||
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VMMBZ33C1DD1HG3-08
| 制造商零件编号- | VMMBZ33C1DD1HG3-0828V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 系列- | - |
| 包装- | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| 产品状态- | 在售 |
| 类型- | 齐纳 |
| 单向通道- | - |
| 双向通道- | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值）- | 28V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值）- | 32.7V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）- | 59V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)- | 300mA |
| 功率 - 峰值脉冲- | 15W |
| 电源线路保护- | 无 |
| 应用- | - |
| 不同频率时???容- | 8pF @ 1MHz |
| 工作温度- | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级- | 汽车级 |
| 资质- | AEC-Q101 |
| 安装类型- | 表面贴装型 |
| 封装/外壳- | 0402（1006 公制） |
| 供应商器件封装- | DFN1006-2B |
| 型号 | VMMBZ33C1DD1HG3-08 |
| 描述 | 28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1 |
| 厂商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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