| 型号： | VESD03C1-HD1HG3-08 | 厂家： | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 封装： | DFN1006-2A | 系列： | TVS |
| 描述： | 3V;IR=20UA;IP=11.6A;P=W;CD=135PF | ||
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VESD03C1-HD1HG3-08
| 制造商零件编号- | VESD03C1-HD1HG3-083V;IR=20UA;IP=11.6A;P=W;CD=135PFVishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 系列- | - |
| 包装- | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| 产品状态- | 在售 |
| 类型- | 齐纳 |
| 单向通道- | 1 |
| 双向通道- | - |
| 电压 - 反向断态（典型值）- | 3V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值）- | 4.45V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）- | 8.7V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)- | 11.6A（8/20μs） |
| 功率 - 峰值脉冲- | 100W |
| 电源线路保护- | 无 |
| 应用- | - |
| 不同频率时???容- | 112pF @ 1MHz |
| 工作温度- | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级- | 汽车级 |
| 资质- | AEC-Q101 |
| 安装类型- | 表面贴装型 |
| 封装/外壳- | 0402（1006 公制） |
| 供应商器件封装- | DFN1006-2A |
| 型号 | VESD03C1-HD1HG3-08 |
| 描述 | 3V;IR=20UA;IP=11.6A;P=W;CD=135PF |
| 厂商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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