| 型号： | SZESD8351MUT5G | 厂家： | onsemi |
| 封装： | 2-X3DFN（0.6x0.3）（0201） | 系列： | TVS |
| 描述： | TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN | ||
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SZESD8351MUT5G
| 制造商零件编号- | SZESD8351MUT5GTVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFNonsemi |
| 系列- | ESD8351 |
| 包装- | 卷带（TR）卷带（TR）剪切带（CT） |
| 产品状态- | 在售 |
| 类型- | 齐纳 |
| 单向通道- | 1 |
| 双向通道- | - |
| 电压 - 反向断态（典型值）- | 3.3V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值）- | 5.5V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）- | 11.2V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)- | 5A（8/20μs） |
| 功率 - 峰值脉冲- | - |
| 电源线路保护- | 无 |
| 应用- | - |
| 不同频率时???容- | 0.25pF @ 1MHz |
| 工作温度- | -55°C ~ 125°C（TJ） |
| 等级- | 汽车级 |
| 资质- | AEC-Q101 |
| 安装类型- | 表面贴装型 |
| 封装/外壳- | 0201（0603 公制） |
| 供应商器件封装- | 2-X3DFN（0.6x0.3）（0201） |
| 型号 | SZESD8351MUT5G |
| 描述 | TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN |
| 厂商 | onsemi |
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