| 型号： | ISL6612ECBZ-T | 厂家： | Renesas Electronics Corporation |
| 封装： | 8-SOIC-EP | 系列： | 电源管理 |
| 描述： | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | ||
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ISL6612ECBZ-T
| 供应商器件封装- | 8-SOIC-EP |
| 型号 | ISL6612ECBZ-T |
| 描述 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 厂家 | Renesas Electronics Corporation |
| 系列- | - |
| 包装- | 卷带（TR） |
| 产品状态- | 停产 |
| 编程- | 未验证 |
| 驱动配置- | 半桥 |
| 通道类型- | 同步 |
| 驱动器数- | 2 |
| 栅极类型- | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电- | 10.8V ~ 13.2V |
| 逻辑电压?- VIL，VIH- | - |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）- | 1.25A，2A |
| 输入类型- | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举）- | 36 V |
| 上升/下降时间（典型值）- | 26ns，18ns |
| 工作温度- | 0°C ~ 125°C（TJ） |
| 等级- | - |
| 资质- | - |
| 安装类型- | 表面贴装型 |
| 封装/外壳- | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 |
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